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簡(jiǎn)要描述：VIGO紅外探測器-包括2、3、4級半導體制冷和非制冷探測器；探測器的波長(cháng)響應范圍包括短波、中波及長(cháng)波，最遠可到16微米；探測靈敏度可接近環(huán)境噪聲限。
產(chǎn)品型號：PV, PC, PVM, PEM, PVA廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2024-05-30訪(fǎng) 問(wèn) 量：4314產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | VIGO | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 | 響應波長(cháng)： | 2-14微米 |
| 探測率： | 可達1.0E+11 | 電流響應率： | 可達1.5安/瓦 |
| 品牌 | VIGO | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子,綜合 | 響應波長(cháng)： | 2-14微米 |
| 探測率： | 可達1.0E+11 | 電流響應率： | 可達1.5安/瓦 |
波蘭 VIGO System 公司是生產(chǎn)紅外探測器及配套偏置和前置放大電路的專(zhuān)業(yè)公司, 該公司具有包括MOCVD和MBE的完整紅外探測器生產(chǎn)線(xiàn), VIGO紅外探測器從MCT和III-V族（InAs、InAsSb）材料晶體生成、半導體襯底片（Wafer）、探測器、偏置電路及前置放大器全部自主生產(chǎn)；芯片上生長(cháng)的浸沒(méi)透鏡可把探測靈敏度提高10倍左右；VIGO 紅外探測器 的波長(cháng)響應范圍包括短波、中波及長(cháng)波，最遠可到16微米。
波蘭 VIGO System 公司還可以提供專(zhuān)門(mén)針對VIGO紅外探測器一對一設計的前置放大電路，這種前置放大器可以?xún)?yōu)化探測器性能，使得探測裝置可以獲得更佳的探測率D*和響應率Ri。公司提供的前置放大器包括標準的、可編程調節增益帶寬的、高速、寬帶寬以及小型等多種型號；其中采用四級制冷光浸沒(méi)光伏探測器PVI-4TE-5構成的的LabM-I-5PLUS探測裝置，靈敏度可接近環(huán)境噪聲限（Near-BLIP）。另外，公司還提供了3種型號的制冷控制器，方便用戶(hù)根據用途選配。探測
北京北埃特光電子技術(shù)有限責任公司自2001年起就作為波蘭VIGO System公司的正式授權代理，在大中華區域推廣和銷(xiāo)售波蘭VIGO System公司的以紅外探測器為基礎的全產(chǎn)品線(xiàn)產(chǎn)品，對VIGO System公司的產(chǎn)品有深刻全面的了解，可以為用戶(hù)在選型、定制等售前售中售后服務(wù)中為用戶(hù)提供全面的優(yōu)良的服務(wù)。
所有產(chǎn)品詳細參數請下載PDF附件
下面是幾種典型的探測器參數：
碲鎘汞PCI光導光浸沒(méi)型長(cháng)波
參數 型號 | 波長(cháng)響應范圍 | 峰值波長(cháng) | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應率 Ri | 時(shí)間常數τ | 1/f噪聲拐點(diǎn) |
PCI-4TE-10.6 | 2.0-12.5μm | 9.5±0.6μm | 4.1×109 | 0.7 A/W | 30ns | 20 kHz |
PCI-4TE-13 | 2.0-14μm | 10.4±0.6μm | 2.4×109 | 0.5 A/W | 6ns | 20 kHz |
碲鎘汞PVI光伏光浸沒(méi)型中波探測器
參數 型號 | 波長(cháng)響應范圍 | 峰值波長(cháng) | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應率 Ri | 時(shí)間常數τ | 動(dòng)態(tài)電阻 |
PVI-2TE-6 | 2.6-7.0μm | 5.2±0.2μm | 8.0×1010 | 2.5 A/W | 50 ns | ≥300 Ω |
碲鎘汞光伏電多結PVMI、PVMQ（四象限）
參數 型號 | 波長(cháng)響應范圍 | 峰值波長(cháng) | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應率 Ri A/W | 時(shí)間常數τ | 動(dòng)態(tài)電阻 |
PVMI-4TE-10.6 | 2.0-12μm | 9.0±1.0μm | 3.0×109 | 0.36 | ≥120 Ω | |
PVMQ-10.6 1 mm×1mm×4 | 2.0-12μm | 8.5±1.0μm | 2.0×107 | 0.004 | 1.5 ns | ≥30 Ω |
III-V族材料（InAs、InAsSb）光伏型
（符合歐盟RoHS環(huán)保標準）
參數 型號 | 波長(cháng)響應范圍 μm | 峰值波長(cháng) μm | 峰值探測率D* cmHz1/2/W(20kHz) | 峰值響應率Ri A/W | 時(shí)間常數τ ns | 動(dòng)態(tài)電阻Ω | ||||
最小值 | 典型值 | 最小值 | 典型值 | 典型值 | 最大值 | 最小值 | 典型值 | |||
2.0-5.9 | 1.0×109 | 3.0×109 | 0.06 | 0.16 | 30 | 160 | 150 | 450 | ||
PVMA-1TE-6 | 2.0-6.6 | 4.4±0.5 | 1.4×109 | 4.3×109 | 0.08 | 0.18 | 40 | 200 | 300 | 800 |
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